Jurij757 napísal:)
Dosť ma prekvapilo, že na karte nie sú klasické Hynix pamäte, ale sú tam "Samsungy"Na 3. fotke je vidieť aj konkrétny typ (K4G20325FD-FC04).
Taktovať však idú viac než dobre. V MSI Afterburneri môžem meniť ich napatie od 1,5 - 1,7V, no nejaký význam do nich rvať napr. 1,6V (ako majú niektorí na F2 a F3 biosoch s Hynix memory) nevidím, takže nechám ich na default 1,5V.
Toť zatiaľ vsjo.
) a ak by sa dal ešte modnúť 
bios, tak by som skúsil pridať trochu napätie, či jadro dá viac MHz, lebo inak musím uznať, že ten môj Pitcairn je dosť fail jadro (max 1200MHz nie je žiadna sláva, ešte k tomu pri tom chladení) a ani ramky nie sú žiadne OC bomby 
. No, myslím pod tým presne to, čo som napísal, že 1,3V pre tieto jadrá (Tahiti, Pitcairn) ešte nie je extrém, keď ju vieš adekvátne uchladiť (čo v mojom prípade určite nie je problém1.3V neni extrem ? a to si ako ty extrem predstavujes ???
)Si to napísal, ako keby tých tried od MSI bolo 10... pritom tuším MSI 7870 sú len dve PCB-čka, referenčné, ktoré je na väčšine kariet a potom Power Edition, ktorá má lepšie pcb (ďalej neviem, možno mi ešte nejaká verzia pcb ušla). Ale nehádam sa, keďže na mojej je to pcb referenčné, tak to nie je žiadna sláva oproti lepším verziámmas najnizsiu triedu od MSI
, čiže som si musel všimnúť tú analýzu "Obra" o vplyve taktu pamätí (vliv taktu pamětí), tak som len dúfal v lepší kus na taktenie, ako boli na mojej predchádzajúcej GV-R685D5-1GD (max. dali 4400 MHz ), v mojom prípade teda vďaka za pamäte samsung.
) spojeného s nekontrolovateľným nábehom fanov na plných 100% pri dosiahnutí cca 55°C na jadre, bez možnosti ovplyvniť hocakým softwarom.
O akom rozdelení do štyroch tried teraz hovoríš?? (Ja som pri MSI narátal len dveA to rozdelenie do 4 tried ma aj nejaky vyznam z hladiska moznosti danej karty
)
. Ale zas nejaká tragédia ako pri 79XX kartách (teda Tahiti) to nie je, lebo Pitcairn neni až tak závislý od priepustnosti ram ako Tahiti. Rozdiel medzi OC a bez OC ramiek je vyslovene minimálny 
