Nová RAM - padanie systému

[Majklv]

Dobrý deň,
viem že nestabilita Windows po inštalácii novej RAMky je častý problém nás laikov, ale potreboval by som poradiť.

Mám Fujitsu Siemens Scaleo J, AMD Athlon 64 X2 3800+, MB: Asus M2R-FVM, RAM: DDR2 2x512 Samsung M3 78T6553CZ3-CD5, Časovanie pamäte podla EVEREST 4-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS).

Kúpil som A-DATA KIT DDR2 533 2 x 512 http://www.alza.sk/1gb-kit-2x512mb-ddr2-d69958.htm" onclick="window.open(this.href);return false;

Keď som pamäte nainštaloval, počítač šiel v pohode asi pol hodinu. Systém vykazoval 2 GB RAM. Potom sa počítač sám reštartoval. Po reštarte ani nestihol nabehnúť systém znova a další reštart. Tretí reštart nasledoval asi o 10 sekúnd. Počítač som vypol, vybral staré RAMky, na ich miesto preložil nové. Systém nešiel. Tak som nové RAM vybral, staré dal na pôvodné misto a niekoľko hodín preinštalovával poškodené programy (AVAST antivir, Zone Alarm)

V iných témach som našiel, že problémy s pamätami sa dajú riešiť úpravou napätia (oba druhy RAM majú 1,8V) alebo latencie. V mojom BIOSe dom našiel iba možnosť úpravy frekvencie (mám ju nastavenú na Auto). Bios mám najnovšiu verziu. Mám skúsiť niečo zmeniť napr. napätie pamätí na 1.9 V? Ak áno, kde nájdem túto funkciu?

Alebo je chyba v pamätiach a mám ich rovno reklamovať? Počítač potrebujem aj na prácu, nechcel by som experimentovaním prísť o dáta. Poradte prosím, čo urobiť


Pripájam údaje z EVEREST a CPU-Z

EVEREST
Pole Hodnota
Vlastnosti procesora
Typ procesora DualCore AMD Athlon 64 X2 3800+
Označenie procesora Windsor-512
Krokovanie BH-F2
Engineering Sample Nie
Názov CPUID CPU AMD Athlon(tm) 64 X2 Dual Core Processor 3800+
Revízia CPUID 00040FB2h

Rýchlosť CPU
Takt CPU 994.9 MHz (pôvodný: [ TRIAL VERSION ] MHz)
Násobič CPU 5x
CPU FSB 199.0 MHz (pôvodný: 200 MHz)
Takt HyperTransportu 994.9 MHz
Zbernica pamäte 199.0 MHz
Pomer DRAM:FSB CPU/5

Cache CPU
L1 Code Cache 64 kB per core (Parity)
L1 Data Cache [ TRIAL VERSION ]
L2 Cache 512 kB per core (On-Die, ECC, Full-Speed)

Vlastnosti zákl. dosky
ID zákl. dosky 07/19/2007-RS485-SB600-M2R-FVM-00
Názov zákl. dosky Asus M2R-FVM (2 PCI, 1 PCI-E x1, 1 PCI-E x16, 4 DDR2 DIMM, Audio, Video, LAN)

Vlastnosti čipsetu
Čipset zákl. dosky ATI Radeon Xpress 1100/1150, AMD Hammer
Časovanie pamäte 4-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS)
Command Rate (CR) [ TRIAL VERSION ]
DIMM3: Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 [ TRIAL VERSION ]
DIMM4: Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 [ TRIAL VERSION ]

Vlastnosti BIOS-u
Dátum systém. BIOS-u 07/19/07
Dátum BIOS-u grafiky 10/28/08
Typ Award BIOS-u Phoenix - AwardBIOS v6.00PG
Správa Award BIOS-u FUJITSU SIEMENS M2R-FVM 1201
Verzia DMI BIOS FUJITSU SIEMENS M2R-FVM 1201

Vlastnosti graf. procesora
Grafická karta Gainward Radeon HD 4670
Kódový názov GPU RV730 (PCI Express 2.0 x16 1002 / 9490, Rev 00)
GPU takt 165 MHz (pôvodný: [ TRIAL VERSION ] MHz)
Takt pamäte 1003 MHz (pôvodný: 1005 MHz)

Pole Hodnota
Vlastnosti pamäťového modulu
Názov modulu [ TRIAL VERSION ]
Sériové číslo F8223641h (1094066936)
Dátum výroby Týždeň 35 / 2006
Veľkosť modulu 512 MB (1 rank, 4 banks)
Typ modulu [ TRIAL VERSION ]
Typ pamäte DDR2 SDRAM
Rýchlosť pamäte DDR2-533 (266 MHz)
Šírka modulu 64 bit
Napätie modulu SSTL 1.8
Metóda zisťovania chýb Žiadne
Obnovovacia frekvencia Redukované (7.8 us), Self-Refresh

Časovanie pamäte
@ 266 MHz 5-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Vlastnosti pamäťového modulu
Analysis Probe Neprítomné
FET Switch External Zakázané
Weak Driver Podporované

Výrobca pamäťového modulu
Názov firmy Samsung
Informácie o výrobku http://www.samsung.com/global/business/semiconductor" onclick="window.open(this.href);return false;


CPU-Z

hipset
Northbridge ATI Xpress 200 (RS480) rev. 10
Southbridge ATI SB600 rev. 00
Graphic Interface PCI-Express
PCI-E Link Width x16
PCI-E Max Link Width x16
Memory Type DDR2
Memory Size 1024 MBytes
Channels Dual
Memory Frequency 199.0 MHz (CPU/5)
CAS# latency (CL) 4.0
RAS# to CAS# delay (tRCD) 4
RAS# Precharge (tRP) 4
Cycle Time (tRAS) 11
Bank Cycle Time (tRC) 15
Command Rate (CR) 2T

Memory SPD
DIMM # 1
SMBus address 0x52
Memory type DDR2
Module format Regular UDIMM
Manufacturer (ID) Samsung (CE00000000000000)
Size 512 MBytes
Max bandwidth PC2-4300 (266 MHz)
Part number M3 78T6553CZ3-CD5
Serial number F8223641
Manufacturing date Week 35/Year 06n
Number of banks 1
Data width 64 bits
Correction None
Nominal Voltage 1.80 Volts
EPP no
XMP no
JEDEC timings table CL-tRCD-tRP-tRAS-tRC @ frequency
JEDEC #1 3.0-3-3-8-11 @ 200 MHz
JEDEC #2 4.0-4-4-11-15 @ 266 MHz
JEDEC #3 5.0-4-4-11-15 @ 266 MHz

DIMM # 2
SMBus address 0x53
Memory type DDR2
Module format Regular UDIMM
Manufacturer (ID) Samsung (CE00000000000000)
Size 512 MBytes
Max bandwidth PC2-4300 (266 MHz)
Part number M3 78T6553CZ3-CD5
Serial number F82234C5
Manufacturing date Week 35/Year 06n
Number of banks 1
Data width 64 bits
Correction None
Nominal Voltage 1.80 Volts
EPP no
XMP no
JEDEC timings table CL-tRCD-tRP-tRAS-tRC @ frequency
JEDEC #1 3.0-3-3-8-11 @ 200 MHz
JEDEC #2 4.0-4-4-11-15 @ 266 MHz
JEDEC #3 5.0-4-4-11-15 @ 266 MHz